半导体CMP抛光材料 行业研究报告

一、研究摘要 / 核心观点

1. 全球半导体 CMP 抛光材料（抛光液+抛光垫）市场约 36–38 亿美元（2025），2024–2028 年 CAGR 约 5.6%–8.8%（TECHCET / 东海证券）；其中抛光液价值量占比约 49%–60%，抛光垫约 30%，是半导体材料细分中增速领先的赛道之一【口径差异：不同机构统计口径下 2025 年规模在 36.2 亿–38.0 亿美元之间】。
2. 中国 CMP 抛光液市场规模从 2021 年 22.3 亿元 增至 2025 年 57.3 亿元，五年 CAGR 高达 26.5%，显著跑赢全球（观研天下），本土晶圆产能扩张是核心拉动力。
3. 国产化率拐点确立：抛光液本土份额从 2021 年不足 15% 升至 2025 年约 34%，28nm 及以上成熟制程已突破 50%；抛光垫自给率 2025 年首破 18.6%（较 2021 年 5.2% 提升逾 13 个百分点，IIM）。
4. 龙头已现：安集科技 2025 年 CMP 抛光液营收 20.4 亿元（同比 +32.06%），全球市占率约 12%–13%；鼎龙股份 2025 年抛光垫营收 10.91 亿元（同比 +52.34%），全球份额从 2020 年不足 1% 升至约 6%。
5. 单位耗材刚性增长：每片 12 英寸晶圆需耗抛光液 30–50 升、抛光垫 0.5–1 片；3nm 逻辑芯片全流程 CMP 步骤 超 35 道，为 28nm 制程的 2 倍以上，先进制程直接放大材料消耗。

二、研究背景与定义（含研究边界）

• 定义：化学机械抛光（CMP，Chemical Mechanical Planarization/Polishing）通过化学腐蚀与机械研磨协同，实现晶圆表面纳米级全局平坦化，是先进制程的刚需工艺。CMP 抛光材料主要包括抛光液（Slurry）与抛光垫（Pad），辅以清洗液、调节器等。
• 细分范畴：

- 抛光液：由纳米磨料（SiO₂ / CeO₂ / Al₂O₃）、氧化剂（H₂O₂ 等）、络合剂、缓蚀剂、pH 调节剂复配而成，按工艺分铜及铜阻挡层、钨、层间介质、浅槽隔离、氧化铈基、衬底及先进封装 TSV 等，配方超 300 种。

- 抛光垫：硬垫（聚氨酯，粗抛）约占 55%、软垫（无纺布，精抛）、复合垫（渗透率提升中）。

• 研究边界：本报告聚焦抛光液与抛光垫两类核心耗材（含配套清洗液），不覆盖 CMP 抛光设备、调节器、以及相邻已发布/禁用的电子特气、高纯石英、光刻胶等赛道。

三、研究方法与数据来源

• 数据来源：券商研报（东海证券、国金证券、平安证券）、第三方机构（TECHCET、QYResearch、StatsMR、IIM 信息、Global Growth Insights、艾邦半导体）、上市公司公告（安集科技 688019、鼎龙股份 300054）、观研天下 / 中国报告网行业测算、行业媒体（半导体行业观察、今日头条）整理。
• 口径说明：全球 CMP 材料规模各机构因"是否含设备/清洗液、按浆料+垫或全材料"统计口径不同，2025 年数值在 36 亿–38 亿美元区间，引用时须注明来源；中国市场规模因"抛光液单独 / 抛光垫单独 / 整体"口径不同亦存在差异，下文分表列示。