麓山智汇 · 行业研究报告(样章)

半导体设备(刻蚀/薄膜沉积/量测) 行业研究报告

制裁倒逼下的国产替代主战场——刻蚀/薄膜沉积/量测设备突围
研究机构:长沙麓山智汇管理咨询有限公司
报告版本:2026 版
数据截止:数据截至 2026-Q2
出具日期:2026-08-12
本页为公开样章(前 15%)。含封面、研究摘要、背景定义与数据来源,用于判断专业度。完整数据底稿、产业链深描、竞争格局、投融资地图与独家研判为付费去水印加密全本。报告数据基于公开信息整理,版权归长沙麓山智汇管理咨询有限公司所有,内容仅供参考,不构成投资建议。

一、研究摘要 / 核心观点

  1. 中国连续多年全球最大设备市场,国产替代进入加速期:SEMI 统计 2025 年中国大陆半导体设备销售额约 493 亿美元、占全球约 36.5%;2025 年第三季度销售额 145.6 亿美元(同比 +13%)、占全球比重攀升至 43%([SEMI/腾讯,2026](https://new.qq.com/rain/a/20260127A06UX400?refer=cp_1009))([CFI 研报,2026](https://gg.cfi.cn/ybdata.aspx?id=20260604000027))。中微公司创始人尹志尧披露,2025 年全球半导体设备市场超 1100 亿美元(约 7800 亿元)、同比 +1.9%,中国连续五年最大单一市场达 381 亿美元(约 2725 亿元)、占比 35%([中微/钛媒体,2025](https://finance.sina.cn/stock/jdts/2025-09-05/detail-infpkxsq2701766.d.html?vt=4))。
  2. 国产化率口径分歧大,但方向一致向上:Bernstein 报告 2025 年中国半导体设备整体国产化率由 2024 年 16% 跃升至 21%(为 2019 年来年度提升最快);中国半导体行业协会称 2025 年已由 2024 年底 25% 提升至 35%;CEPEA 口径 2025 年 25.3%(2024 年 19.8%);尹志尧口径由 14% 增至 18%([Bernstein/搜狐,2026](https://it.sohu.com/a/1037739111_115362))([中半协/腾讯,2026](https://new.qq.com/rain/a/20260127A06UX400?refer=cp_1009))([CEPEA,2025](http://www.twtip.com?p=1234/))([中微/钛媒体,2025](https://finance.sina.cn/stock/jdts/2025-09-05/detail-infpkxsq2701766.d.html?vt=4))【口径差异:WFE(晶圆制造设备)口径 vs 含封测/元器件全设备口径,且"国产化率"分母定义不同】。
  3. 刻蚀、薄膜沉积是国产化主力,量测正加速突破:Bernstein 口径 2025 年刻蚀国产化率 31%、薄膜沉积 27%、过程控制(量测)10%、掺杂 13%;刻蚀领域 中微+北方华创 占国内厂商约 95% 份额([Bernstein/搜狐,2026](https://it.sohu.com/a/1037739111_115362))。CEPEA 口径刻蚀 35%、薄膜沉积 22%、量测 8%([CEPEA,2025](http://www.twtip.com?p=1234/))【口径差异】。
  4. 头部企业业绩高增、订单饱满:北方华创 2025 营收 393.53 亿元(同比 +30.85%)、归母 55.22 亿元;中微公司 2025 营收 123.85 亿元(+36.62%)、刻蚀设备 98.32 亿元(+35.12%);拓荆科技 2025 营收 65.19 亿元(+58.87%)、在手订单约 110 亿元;中科飞测 2025 营收 20.53 亿元(检测 13.64 亿+量测 6.23 亿)([雪球/财报,2026](https://www.xueqiu.com/6619948733/397408264))([湖北日报,2026](https://news.hubeidaily.net/pc/c_5472918.html))([网易/拓荆,2026](https://www.163.com/dy/article/L1DVVDR0053469RG.html))。
  5. 制裁重塑供应链,国产从"政策驱动"转"商业竞争力驱动":美/荷出口管制使海外设备交付周期拉长至 12–18 个月,国内晶圆厂主动加快国产验证导入;光刻(国产化率 <1%)与离子注入(约 8%)仍是最大短板([今日头条/Bernstein,2026](https://www.toutiao.com/a7668615861351088674))。

二、研究背景与定义(含研究边界)

1. 刻蚀设备:电容耦合等离子体(CCP,主介质刻蚀)、电感耦合等离子体(ICP,主硅基/金属硬掩模)、原子层刻蚀(ALE)。2025 年国内 CCP 占 52.7%、ICP 占 38.9%、ALE 占 3.1%([博研智尚,2026](https://www.docin.com/p-4974899827.html))。

2. 薄膜沉积:PVD(物理气相沉积)、CVD(含 PECVD/HDPCVD/SACVD/Flowable CVD)、ALD(原子层沉积)。PECVD 约占薄膜设备 33%、PVD 19%、ALD 11%([CFI/拓荆,2026](https://gg.cfi.cn/ybdata.aspx?id=20260604000027))。

3. 工艺量测/检测:无图形晶圆检测、薄膜量测、图形化检测、电子束量测等,对应 KLA、AMAT、Onto 等海外主导环节。

三、研究方法与数据来源(Methodology)

以下章节为付费全本内容(本样章不含):
四、市场规模与增速(Market Size & Growth)★核心
五、产业链结构(Value Chain)
六、竞争格局(Competitive Landscape)
七、驱动因素(Drivers)
八、趋势展望(Trends & Outlook)
九、风险与挑战(Risks)
十、窄众切入点建议(Niche Entry)
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